Laharana vokatra mpanamboatra:
FQB9P25TM
Product Overview
Mpampanofa:
onsemi
Laharana Zava-maneno:
FQB9P25TM-DG
Famaritana:
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Famaritana An-tsipirihany:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fanisana:
12838031
Mangataka tolotra
Fahafahana
Farafahakeliny 1
Farafahakeliny 1
Fsny
(*) dia ilaina
Hiverina aminao ao anatin'ny 24 ora izahay
Hiverina aminao ao anatin'ny 24 ora izahay
Alefaso
FQB9P25TM Fepetra Ara-teknika
Sokajy
FETs, MOSFETs, FET tokana, MOSFET
Mpampanofa
onsemi
Fonosana
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Andian-dahatsoratra
QFET®
Sata momba ny vokatra
Obsolete
FET Type
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Mitete ny loharano malefaka (Vdss)
250 V
Fitohizan'ny hafatra: @ 25 ° C
9.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
Njakatiana @ Id
5V @ 250µA
Aloavy @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Fanapahana herinaratra (Max)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
fitomboan'ny karazana
Surface Mount
Mpamatsy fitaovana fonosana
TO-263 (D2PAK)
Fonosana / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FQB9
Takelaka sy Antontan-taratasy
Fanazavana fanampiny
Anarana hafa
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT
Standard fonosana
800
Fandaharana ara-tontolo iainana & Fanondranana
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Hamandoana fahatsapana haavon'ny (MSL)
1 (Unlimited)
TONGA SATA
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Maodely hafa
ISAN'NY PART
IRF9640STRLPBF
mpamokatra
Vishay Siliconix
ISAN'NY NISY
5539
ISAN'NY PART
IRF9640STRLPBF-DG
VIDIN'NY UNIT
0.92
Karazana fanolo
Similar
ISAN'NY PART
IRF5210STRLPBF
mpamokatra
Infineon Technologies
ISAN'NY NISY
7933
ISAN'NY PART
IRF5210STRLPBF-DG
VIDIN'NY UNIT
1.26
Karazana fanolo
Similar
Fanamarinana DIGI
Vokatra mifandraika
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
FQA62N25C
MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK